不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：430pF @ 100V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：34W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：225 毫欧 @ 3.5A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PG-TDSON-8

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）：200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：7A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 13µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：5.6nC @ 10V

安装风格：SMD/SMT

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Id-连续漏极电流：7A

Rds On-漏源导通电阻：194mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：2V

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Qg-栅极电荷：5.6nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：34W

通道模式：Enhancement

商标名：OptiMOS

封装：CutTape

高度：1.27mm

长度：5.9mm

系列：OptiMOS3

晶体管类型：1N-Channel

宽度：5.15mm

正向跨导 - 最小值：3.5S

下降时间：3ns

上升时间：4ns

典型关闭延迟时间：6ns

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs